买卖IC网 >> 产品目录 >> NE8500295-4 射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE8500295-4

库存数量：可订货
制造商：NEC/CEL
描述：射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
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制造商 NEC/CEL
技术类型 MESFET
频率 3.5 GHz to 4.5 GHz
增益 10.5 dB
噪声系数
正向跨导 gFS（最大值/最小值） 600 mS
漏源电压 VDS 15 V
闸/源击穿电压 - 12 V
漏极连续电流 1.9 A
最大工作温度 + 175 C
功率耗散 13 W
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 CHIP
相关资料
属性
链接
代理商 NE8500295-4
NE8500295-6
NE8500295-8
NE850R599A
NE851M03
NE851M03-A
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公司名
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  • NE8500295-4 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价